来源：环球网

【环球网科技综合报道】6月24日消息，据OC3D报道，在高带宽内存（HBM）市场建立领先优势的SK海力士，正调整生产规划，放缓第六代高带宽内存HBM4扩产节奏，将更多产能、研发资源倾斜至通用型DRAM产品。

据行业信息显示，当前SK海力士HBM业务营收占比已突破40%，在全球HBM市场形成显著竞争优势，无需再投入大量资源参与行业激进扩产竞赛。与之形成鲜明对比的是，当下通用型DRAM市场供给持续紧缺，盈利水平实现反超，成为存储厂商增厚收益的核心赛道。

为抢抓通用DRAM市场红利，SK海力士已延后部分HBM3E产线切换至HBM4的进度，优先扩充通用DRAM产能。业内分析认为，依托成熟稳定的HBM业务基本盘，企业无需急于放量HBM4，也不必提前推进第七代HBM4E产品研发量产。

两类存储产品盈利格局已发生根本性转变。数据显示，今年一季度，尽管通用型DRAM每Gb售价低于HBM产品，但营业利润率较HBM高出至少15个百分点。企业管理层也密切关注行业动态，三星电子依靠通用DRAM业务收获丰厚利润，成为SK海力士调整产能策略的重要参考因素。同时，搭载HBM4的英伟达新一代Rubin芯片出货预期下调，进一步削弱了企业加速HBM产线升级的动力。

在今年一季度业绩沟通会上，SK海力士披露，当期DRAM产品平均售价同比上涨约65%。企业后续经营重心将聚焦高密度服务器内存模组、移动端存储芯片的市场需求，加码通用DRAM供给。

此次产能策略调整或将重塑全球HBM市场竞争格局。市场研究机构Counterpoint数据显示，SK海力士去年第四季度HBM全球市占率达57%；若三星电子于今年下半年顺利实现HBM4量产，叠加SK海力士主动控量HBM4，其市场份额或将回落至50%至60%区间，三星有望借此契机提升自身HBM市场占有率。（纯钧）